自2016年起，内存最高涨幅达到近400%，如今虽然降价了，也比涨价前的价格高出两倍。与此同时，固态硬盘也经历了很长一段时间的涨价之后，刚刚出现降价的苗头。这让那些一直有装机需求的用户恨得牙痒痒的。为了抑制内存降价，内存厂商竟然用控制产能的方式来保持利润；为了持续高收入，芯片大厂竟然出奇一致地发起了涨价策略，甚至是垄断性地价格限制，这可害苦了中国装机用户。如今，总算是等来了一个好消息：从2019年开始，国三大存储公司将量产内存、闪存，小狮子突然有一种喜极而泣的想法。

　　这是国产存储芯片发展的希望

　　据台湾电子时报报道称，2019年，中国大陆地区将有三家存储芯片厂竣工并投入量产。目前，长江存储正在准备的第一个订单是，生产8GB容量的SD存储卡，订单规模为一万套32层3D NAND闪存芯片。在新产品方面，长江存储正在研发64层的3D NAND闪存，计划在2018年年底前推出样品。

　　跟长江存储不同的是，晋华公司和Innotron主要负责DRAM内存芯片的制造。据说前者已经开始了8Gb LPDDR4内存芯片的试生产，而后者预计明年量产19nm技术生产的8Gb DDR4内存芯片。

　　国产闪存、内存芯片的崛起刺激韩国政府重视芯片产业

　　中国是全球最大的芯片进口国，而芯片则是韩国最大的出口产品。也就是说，中国是韩国芯片最大的消费国。如今中国国产芯片终于取得了一些成绩，让韩国政府都引起了重视。韩国工业部长日前表示，韩国政府将加大对大型研发项目的支持，以开发尖端内存芯片，应对中国竞争对手的崛起。从这一点，可以看出中国国力的增强对世界产业链的影响。虽然这样说可能有点太自夸了，但事实是这样的。毕竟中国人口众多，每年的装机量确实不是小数，如果大量用户都选择国产存储芯片产品的话，确实可以给国际存储芯片厂商带来很大的影响。

　　但不可否认的是，国产内存、闪存技术还有很大的进步空间

　　国产存储厂商芯片研发投入了巨资，如今总算看到了一些实际的效果，给广大消费者燃起了希望。但是，我们不得不承认，国产存储芯片技术实力还远远不够。在前面我们提到长江存储的第一个订单是32层3D NAND闪存芯片，而日前东芝已经宣布研发成功96层堆叠3D QLC闪存原型，使用了东芝的BiCS立体堆叠技术，并与西数合作完成。不同层数的3D闪存区别到底有多大呢？

　　我们可以把3D闪存看做是搭建高楼大厦，修32层楼高和96层楼高所耗费的精力肯定不同。当然，96层堆叠所能实现的闪存容量更高，单芯片最大容量可达1.33Tb，并且可以采用16颗芯片堆叠架构封装，单个封装就能提供2.66TB的惊人容量。这样一来，相同颗粒数的96层堆叠闪存比32层堆叠闪存的容量大很多，所需要的技术难度也更大。毕竟，修楼越高，要保持同样的稳定性、安全性并不是一件容易的事情。

　　当然，我们对国产存储芯片产业发展充满期待

　　如今国产存储芯片产业已经有了一个很好的开端，给中国消费者带来了新的希望。就算离最新技术实力还有一段差距，我们也愿意等待国产芯片的崛起。外界普遍认为，伴随中国存储芯片公司逐步扩大产能，全球内存闪存芯片市场的价格有望出现下降。既然，中国闪存、内存芯片的发展能够带来如此巨大的影响，在这个还存在巨大差距的时代，看清我们现在与别人的差距，撑握好方向，奋起直追就是现在国产闪存、内存芯片厂商最应该做的事情。

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