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三星去年推出一款固态硬盘 ——990 EVO Plus，基于三星最新的第 8 代 V-NAND 技术和 5nm 主控，采用创新的镀镍热屏蔽设计，可最大限度地减少过热情况，其能效相比于 990 EVO 提高了 73%。

三星 990 EVO Plus 采用 3-bit TLC 颗粒，提供了 1TB、2TB 和 4TB 版本选择，相比 990 EVO 实现进一步提升。

这款 SSD 不带 DRAM 缓存，4TB 型号可提供每秒 1,050K IOPS 随机读取速度和 1,400K IOPS 的随机写入速度，与带 DRAM 缓存的产品相比也不弱下风。

此外，它还支持 PCIe 4.0 ×4 或 5.0 ×2 的 NVMe 2.0 标准，连续读取速度可达 7,250 MB/s，写入速度高达 6,300 MB/s，相比上一代 990 EVO 提升了 50%。